功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么？

產(chǎn)品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關性表明，極化峰值越

高，TSDC曲線越大，而HTRB性能越差，但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關鍵參數(shù)。

關于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術，為華測公司在國內最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

產(chǎn)品原理：TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內。然后進行升溫將駐極體內的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

產(chǎn)品參數(shù)：

設備型號：HC-TSC

溫度范圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫制冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm